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晶體缺陷是指晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)完整性受到破壞的所在位置。按其延展程度可分成點(diǎn)缺陷、線缺陷和面缺陷。

晶體缺陷檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 8756-1988 鍺晶體缺陷圖譜

GB/T 35316-2017 藍(lán)寶石晶體缺陷圖譜

GB/T 37051-2018 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法

GB/T 43612-2023 碳化硅晶體材料缺陷圖譜

T/CZSBDTHYXH 001-2023 半導(dǎo)體晶圓缺陷自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備

NF ISO 5618-1:2023 技術(shù)陶瓷 GaN晶體表面缺陷的測(cè)試方法 第1部分：缺陷分類

T/CPIA 0009-2019 電致發(fā)光成像測(cè)試晶體硅光伏組件缺陷的方法

GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗(yàn)方法

晶體缺陷檢測(cè)項(xiàng)目

晶體缺陷檢測(cè)項(xiàng)目包括透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)、傅里葉變換紅外光譜(FTIR)、動(dòng)態(tài)光散射(DLS)和核磁共振(NMR)。

1、透射電子顯微鏡(TEM):通過(guò)觀察材料的薄片樣品，可以在納米級(jí)別上檢測(cè)和觀察晶體缺陷，如晶界、位錯(cuò)、空位和原子堆積缺陷。

2、X射線衍射(XRD):通過(guò)分析晶體的衍射峰，可以確定晶體的晶格結(jié)構(gòu)和缺陷，例如晶格畸變和晶界。

3、傅里葉變換紅外光譜(FTIR):通過(guò)分析材料的紅外吸收譜圖揭示材料中的缺陷信息，例如氣原子和硅原子之間的缺陷。

4、動(dòng)態(tài)光散射(DLS):通過(guò)測(cè)量材料中顆粒或顆粒簇的尺寸和偏離程度，可以確定不同缺陷類型的存在或密度分布。

5、核磁共振(NMR):通過(guò)檢測(cè)材料中原子核的磁場(chǎng)變化，可以確定各種類型的缺陷，例如空位、原子交換等。

復(fù)達(dá)檢測(cè)流程

1、溝通需求(在線或電話咨詢);

2、寄樣(郵寄樣品支持上門取樣);

3、初檢(根據(jù)客戶需求確定具體檢測(cè)項(xiàng)目);

4、報(bào)價(jià)(根據(jù)檢測(cè)的復(fù)雜程度進(jìn)行報(bào)價(jià));

5、簽約(雙方確定--簽訂保密協(xié)議);

6、完成實(shí)驗(yàn)(出具檢測(cè)報(bào)告，售后服務(wù))。

復(fù)達(dá)檢測(cè)服務(wù)內(nèi)容更多詳情歡迎咨詢解鎖，上海復(fù)達(dá)檢測(cè)具體cma\cnas檢測(cè)資質(zhì)，可出具第三方雙c資質(zhì)報(bào)告，寄樣或上門檢測(cè)靈活選擇，有需要?dú)g迎聯(lián)系我們溝通檢測(cè)詳情。